日 時：2004年12月11日（土）13：30-17：30
場 所：東京工業大学南７号館２階201/202講義室
講 演：
- 脇谷尚樹先生 東京工業大学理工学研究科材料工学専攻
演題：「ダイナミックオーロラPLD装置の試作」
内容： PLD法はセラミックス薄膜を作製する方法として現在幅広く普及している。これまで、何らかの外部刺激を導入したPLD装置も考案されてきている（例：電界印加、高周波印加、ICP印加および磁場印加等）磁場印加PLDについては永久磁石を用いてこれまでにいくつか報告があるが、我々は空芯のコイル（電磁石）を導入した装置を試作した。その効果について報告する予定です。
- John David Baniecki 先生 富士通研究所
演題：「BST-based thin film capacitors for GHz decoupling application」
内容：In the talk I will present an overview of the technology of BST-based thin film capactors for GHz decoupling applications and the results of materials optimization of BST thin films through doping studies and analytical modeling of C-V and J-V-T data. The influence of BST film composition and Y incorporation on the electrical properties of BST-based thin film capackors will be presented. d versus Sin2(theta) analysis has been used to determine the elastic strajn of the film as a function of composition. The results show that the elastic strain depends on composition with permitittivity and tunability decreasing with increasing tensile strain. The results will be interpreted in terms of phenomenological Landau-Ginsberg-Devonshire (LGD) theory and the mechanisms for the observed dependence of theotrical properties on Y doping discussed. An analytical model of a BST-based thin film capacitor incorporating interface state charge, non-linear film bulk permittivity, and interfacial layers will be used to investigate the effect of charge trapping on the capacitance voltage characterlstics and leakage current mechanisms in Pt/BST/Pt thin film capacitors.
- 北本仁孝先生 東京工業大学総合理工学研究科物質科学創造専攻
演題：「（Ga,Mn）As薄膜の微細加工と磁気伝導」
内容：ホールキャリア濃度で磁性を制御することのできるIII-V族強磁性半導体である（Ga,Mn）As薄膜を微細加工することにより磁気抵抗効果を測定し，磁気異方性や磁化反転機構を考察する．
- 安達信泰先生 名古屋工業大学セラミックス基盤工学研究センター
演題：「マイクロ磁気デバイス用希土類薄膜磁石の開発」
内容：マイクロ磁気デバイス用のモーターやアクチュエーターへの応用を目的に 希土類磁石の中で最も強力な磁石であるNd-Fe-B系磁石の薄膜化に関して、ＲＦスパッ タと熱処理結晶化による方法で高性能磁石が得られたことを報告する。また、熱処理 法の利点を生かした磁石のマイクロパターニング技術について紹介する。
進 行：木口 賢紀