日 時：2005年10月29日（土）13：30-18：30
場 所：東京工業大学南７号館２階201講義室
講 演：
- 佐伯 淳先生 富山大学工学部物質生命システム工学科
演題：「ミスト堆積法によって水溶液から作成したYSZ膜」
内容：薄膜形成においては高温で行われることが多いが，相転移の問題，熱歪みの発生など素子に与える影響は大きく成膜後の後処理やトータル的なコストも重要な課題となっている．本研究ではジルコニア薄膜について，簡便な装置を用い，水溶液から比較的低温領域で，総合的には環境に優しい条件の下での膜形成を目指している．今回原料としてZrO(NO3)2・H2O，Y(NO3)3・6H2O，NH4OH，
H2O2等を用いており，成膜手法として電気化学的に堆積させた場合とミスト堆積法を利用して作成した場合のYSZ膜について紹介する．
- 増田 淳先生 独立行政法人産業技術総合研究所
演題：「太陽光発電の現状技術と将来展望」
- John D. Baniecki先生 富士通研究所
演題：「Charge relaxation at metal-dielectric interfaces: An evaluation of modeling approaches」
内容：In the talk I will give an overview of experimental evidence for charge storage and relaxation at metal-dielectric interfaces and evaluate various modeling approaches that have been used to interpret reliability phenomena such as imprint, in the case of ferroelectric thin film capacitors, and time dependent currents in the case of high dielectric thin films capacitors. Emphasis will be placed on comparing models based on Maxwell-Wagner relaxation due to charge storage and release at lower permittivity-higher permittivity interfaces near metal-dielectric contacts and a more realistic approach talking into account the kinetics of carrier exchange between traps in the vicinity of the metal-dielectric interface and carrier reservoirs. Applications to transient current phenomena will be explored.
- 後藤民浩先生 群馬大学工学部共通講座
演題「ナノスケール電気相変化記録」
内容：はじめに電気相変化メモリーの歴史や原理に関する簡単なレビューをする．その後，極限記録密度の実現に向けたなのスケール相変化記録の試みについて紹介する．
進 行：桜井 修